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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
PD-330STC 是一種用于形成絕緣膜的等離子 CVD 設(shè)備，專(zhuān)為 TSV（Si 通孔）開(kāi)發(fā)。
詳情介紹：
概述
PD-330STC 是一種用于形成絕緣膜的等離子 CVD 設(shè)備，專(zhuān)為 TSV（Si 通孔）開(kāi)發(fā)。 大面積基板兼容機(jī)，將久經(jīng)考驗(yàn)的 PD-270ST 系列改造為 ±300mm 硅晶圓，可在低溫下以液體源 TEOS 為原料，形成高質(zhì)量的 SiO+ 膜。 采用專(zhuān)有的陰極耦合方法，在三維LSI的TSV形成過(guò)程中，可以在高縱橫比的通孔側(cè)壁上形成具有優(yōu)異的覆蓋性的TEOS-SiO+膜。
特點(diǎn)
±300mm 晶圓的薄膜形成
可實(shí)現(xiàn)良好的平面內(nèi)均勻性和出色的穩(wěn)定性。
采用高速成膜和應(yīng)力控制
開(kāi)創(chuàng)的陰極耦合法，可實(shí)現(xiàn)高速（100nm/min以上）和低應(yīng)力成膜。
低溫成膜
可在80°C~的低溫成膜，也可以在塑料上成膜。
LSCVD® 方法使用 TEOS 的沉積
液體源，具有出色的步進(jìn)覆蓋和嵌入特性。
應(yīng)用示例
TSV側(cè)壁絕緣膜形成
三維LSI的貫通通孔形成工藝中的側(cè)壁的絕緣膜形成
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